| 型号：FDP80N06 | 类别：FET - 单 | 制造商：Fairchild Semiconductor |
| 封装：TO-220-3 | 描述：MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 |
| 系列 | UniFET™ |
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 80A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 10 毫欧 @ 40A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 74nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 3190pF @ 25V |
| 功率_最大 | 176W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 深圳市芯宇恒科技有限公司 | 袁先生0755-85298085 |
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| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市金亿泰电子有限公司 | 郑086-755-83252273 |
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